Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
transistor MOS à canal caché — MOP tranzistorius su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel MOS transistor vok. MOS Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal, m rus. МОП транзистор со скрытым каналом, m pranc. transistor MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal — MOP tranzistorius su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel MOS transistor vok. MOS Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal, m rus. МОП транзистор со скрытым каналом, m pranc. transistor MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOP tranzistorius su paslėptuoju kanalu — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel MOS transistor vok. MOS Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal, m rus. МОП транзистор со скрытым каналом, m pranc. transistor MOS à canal caché, m … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-транзистор со скрытым каналом — MOP tranzistorius su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel MOS transistor vok. MOS Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal, m rus. МОП транзистор со скрытым каналом, m pranc. transistor MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed … Wikipedia
